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产品简介
ADIC420LP2为反射式CMOS SOI SP4T 射频开关。具有高隔离、低插损、尺寸小的特点，内部集成控制电路，便于使用。采用2 mm x 2 mm的12-Pin QFN leadless封装，本开关适用于RF/微波电路、测试测量和仪表仪器和电子对抗等多种通信等。
性能特点
· 工作频率：0.04 - 2.7 GHz
· 隔离度： 40 dB @ 1 GHz
· IIP3：+63 dBm @ 1 GHz
· IP0.1dB：36 dBm
· ESD：150 V HBM
· MSL：Level 2
· 封装 QFN 2X2-12L
电性能表（VDD = 3 V, VCTL = 3.3 V, TA = + 25 ℃, 50 Ω系统)
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指标
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最小
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典型
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最大
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单位
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范围
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插入损耗
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-
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0.42
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0.55
|
dB
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0.04 GHz - 0.2 GHz
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|
-
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0.48
|
0.55
|
dB
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0.2 GHz - 1.0 GHz
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|
-
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0.61
|
0.80
|
dB
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1.0 GHz - 2.2 GHz
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|
-
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0.65
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1.0
|
dB
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2.2 GHz - 2.7 GHz
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带内波动 （BW = 224 MHz)
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-
|
-
|
0.2
|
dB
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0.04 GHz - 1.0 GHz
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隔离度
（ANT 到 RF/1/2/3/4)
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48
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53
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-
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dB
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0.04 GHz - 0.2 GHz
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35
|
40
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-
|
dB
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0.2 GHz -1.0 GHz
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28
|
33
|
-
|
dB
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1.0GHz -2.2 GHz
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25
|
30
|
-
|
dB
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2.2 GHz -2.7 GHz
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回波损耗
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20
|
25
|
-
|
dB
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0.04 GHz - 1.0 GHz
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18
|
23
|
-
|
dB
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1.0 GHz -2.7 GHz
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IIP3
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+55
|
+63
|
-
|
dB
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0.04 GHz -2.7 GHz
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谐波
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Pin= +26dBm, 2f0, 3f0
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75
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81
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-
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dBm
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0.04 GHz -2.7 GHz
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开关时间
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开 （50% CTL to 90% RF)
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-
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500
|
1000
|
ns
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-
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关 （50% CTL to 10% RF）
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-
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410
|
1000
|
ns
|
-
|
上升沿（10% to 90% RF）
|
-
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100
|
500
|
ns
|
-
|
下降沿（90% to 10% RF）
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-
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240
|
350
|
ns
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Shutdown to active mode
(50% EN to 90% RF)
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-
|
2
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-
|
us
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-
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0.1 dB压缩点
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+30
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+36
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-
|
dBm
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0.04 GHz -2.7 GHz
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工作电流
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VDD 电流
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-
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50
|
-
|
uA
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-
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V1、 V2 电流
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-
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5
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-
|
uA
|
-
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ADIC420LP2产品手册
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